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FQD9N08TF

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 2259
說明：: MOSFET

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FQD9N08TF PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：9 ns
上升時(shí)間：28 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：17 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.21 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQD9N08TF的詳細(xì)信息，包括FQD9N08TF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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