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FQE10N20CTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-225AA，TO-126-3
數量：: 8478
說明：: MOSFET 200V N-Channel Adv Q-FET C-Series

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FQE10N20CTU PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FQE10N20CTU_NL
典型關閉延遲時間：70 ns
工廠包裝數量：60
上升時間：92 ns
功率耗散：12.8 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：4.5 S
下降時間：72 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-126
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.36 Ohms
漏極連續電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQE10N20CTU的詳細信息，包括FQE10N20CTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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