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FQE10N20LCTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-225AA，TO-126-3
數量：: 8487
說明：: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

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FQE10N20LCTU PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C360 毫歐 @ 2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs19nC @ 5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C4A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 490pF @ 25V
功率 - 最大12.8W
安裝類型通孔

以上是FQE10N20LCTU的詳細信息，包括FQE10N20LCTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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