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FDU6688_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-251
數量：
 7866  
說明：
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDU6688_Q-TO-251圖片

FDU6688_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：62 ns
上升時間：13 ns
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：36 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.005 Ohms
漏極連續電流：84 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU6688_Q的詳細信息，包括FDU6688_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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