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FDU8586

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 I-PAK
數量：
 702  
說明：
 MOSFET 20V 35A 5.5 OHM NCH IPAK PO
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FDU8586-I-PAK圖片

FDU8586 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：47 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：11 ns
功率耗散：77 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：175 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.004 Ohms
漏極連續電流：35 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU8586的詳細信息，包括FDU8586廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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