色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

FDU6696_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-251
數量：
 7902  
說明：
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
FDU6696_Q-TO-251圖片

FDU6696_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：27 ns
上升時間：4 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：17 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.008 Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDU6696_Q的詳細信息，包括FDU6696_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • FDU8580圖片

    FDU8580

    MOSFET 20V 35A 9 OHM NCH POWER TRENC

  • FDU8586圖片

    FDU8586

    MOSFET 20V 35A 5.5 OHM NCH IPAK PO

  • FDU8778圖片

    FDU8778

    MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • FDU8782圖片

    FDU8782

    MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 高密市| 诸暨市| 大荔县| 望谟县| 汉川市| 宜宾市| 阿鲁科尔沁旗| 炎陵县| 嘉善县| 铜梁县| 凭祥市| 高陵县| 娱乐| 沾益县| 永城市| 新干县| 秭归县| 贵港市| 柘城县| 盐亭县| 静海县| 恩施市| 碌曲县| 中超| 阳曲县| 沧州市| 临城县| 布尔津县| 明水县| 昆山市| 绥芬河市| 余江县| 桃园县| 旌德县| 通河县| 简阳市| 张家界市| 台江县| 大同市| 尖扎县| 白玉县|