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FDP10N60NZ

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 2115
說明：: MOSFET 600N-Channel MOSFET UniFET-II

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FDP10N60NZ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：70 nS
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：50 ns
功率耗散：185 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：14 S
下降時間：50 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.64 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP10N60NZ的詳細信息，包括FDP10N60NZ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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