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FDP12N60NZ

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 2377
說明：: MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

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FDP12N60NZ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：50 ns
功率耗散：240 W
柵極電荷 Qg：26 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：13.5 S
下降時間：60 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.53 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP12N60NZ的詳細(xì)信息，包括FDP12N60NZ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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