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FDP120N10

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 4151
說明：: MOSFET N Chan 100V 12Mohm

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FDP120N10 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：39 ns
工廠包裝數(shù)量：400
上升時(shí)間：105 ns
功率耗散：170 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.012 Ohms
漏極連續(xù)電流：74 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP120N10的詳細(xì)信息，包括FDP120N10廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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