色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FDC6401N_Q

FDC6401N_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數量：: 4590
說明：: MOSFET Dual N-Ch 2.5V Spec Power Trench

一、本商品被瀏覽0次.

FDC6401N_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：13 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：0.96 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.07 Ohms
漏極連續電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6401N_Q的詳細信息，包括FDC6401N_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：