色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > CYT5551D

CYT5551D

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: SOT-228
數量：: 5950
說明：: 兩極晶體管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt

一、本商品被瀏覽0次.

CYT5551D PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：2 W
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續電流：600 mA
封裝形式：SOT-228
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：30
增益帶寬產品fT：300 MHz
集電極—射極飽和電壓：160 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：160 V
集電極—基極電壓 VCBO：180 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

以上是CYT5551D的詳細信息，包括CYT5551D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：