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CYT5551HCD

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: SOT-228
數量：: 5959
說明：: 兩極晶體管 - BJT Small Signal Dual NPN Hi Volt

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CYT5551HCD PDF參數資料

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中文參數如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：2 W
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續電流：1 A
封裝形式：SOT-228
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：30
增益帶寬產品fT：100 MHz
集電極—射極飽和電壓：160 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：160 V
集電極—基極電壓 VCBO：180 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

以上是CYT5551HCD的詳細信息，包括CYT5551HCD廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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