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BSO613SPV G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 DSO-8
數量：
 8902  
說明：
 MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR
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BSO613SPV G-DSO-8圖片

BSO613SPV G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSO613SPVGHUMA1 BSO613SPVGXT SP000216309
典型關閉延遲時間：32 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：11 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DSO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.13 Ohms
漏極連續電流：3.44 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO613SPV G的詳細信息，包括BSO613SPV G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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