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BSO615N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SO-8
數(shù)量：: 8769
說明：: MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A

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BSO615N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSO615NGHUMA1 BSO615NGXT SP000216316
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：1
上升時(shí)間：15 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.15 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO615N G的詳細(xì)信息，包括BSO615N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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