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BSO615N

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-DSO-8
數(shù)量：: 99
說明：: MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

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BSO615N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型2 個 N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 2.6A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.6A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 380pF @ 25V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝

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