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BSC119N03S G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TDSON-8-1
數量:
 6201  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 11.9A
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BSC119N03S G-PG-TDSON-8-1圖片

BSC119N03S G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSC119N03SGXT
典型關閉延遲時間:15 ns
工廠包裝數量:1
上升時間:3.4 ns
功率耗散:2.8 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:2.6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TDSON
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0119 Ohms
漏極連續電流:11.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSC119N03S G的詳細信息,包括BSC119N03S G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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