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BSC12DN20NS3G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TDSON-8
數量：
 6246  
說明：
 MOSFET N-CH 200V 11.3A
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BSC12DN20NS3G-PG-TDSON-8圖片

BSC12DN20NS3G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GXT
功率耗散：50 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：12 S, 6 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：108 mOhms
漏極連續電流：11.3 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC12DN20NS3G的詳細信息，包括BSC12DN20NS3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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