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BSC190N12NS3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TDSON-8
數量:
 11956  
說明:
 MOSFET N-channel POWER MOS
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BSC190N12NS3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GXT SP000652752
典型關閉延遲時間:22 ns
工廠包裝數量:5000
上升時間:16 ns
功率耗散:69 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:26 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :45 S, 23 S
下降時間:4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TDSON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):19 mOhms
漏極連續電流:44 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:120 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是BSC190N12NS3 G的詳細信息,包括BSC190N12NS3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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