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BLV32F

廠家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封裝:
 Case 316-01
數量:
 3920  
說明:
 射頻雙極電源晶體管 RF Transistor
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BLV32F-Case 316-01圖片

BLV32F PDF參數資料

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中文參數如下:

晶體管極性:NPN
安裝風格:Screw
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 200 C
包裝形式:Tray
封裝形式:Case 316-01
功率耗散:82 W
集電極連續電流:4 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:32 V
最大工作頻率:224 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min:20
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

以上是BLV32F的詳細信息,包括BLV32F廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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