點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
晶體管極性：NPN
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 65 C
最大工作溫度：+ 200 C
包裝形式：Tray
封裝形式：SOT-147
功率耗散：132 W
最大直流電集電極電流：20 A
集電極連續電流：12.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：33 V
最大工作頻率：224 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
以上是BLV33的詳細信息，包括BLV33廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
