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BLV34

廠家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封裝:
 
數量:
 8470  
說明:
 射頻雙極電源晶體管 RF Transistor
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BLV34-圖片

BLV34 PDF參數資料

中文參數如下:

安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 200 C
包裝形式:Tray
功率耗散:150 W
集電極連續電流:15 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:75 V
最大工作頻率:225 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min:25
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

以上是BLV34的詳細信息,包括BLV34廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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