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APTM120DA29TG

廠家:
  Microsemi Corporation
封裝:
 SP4
數量:
 1305  
說明:
 MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
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APTM120DA29TG PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C348 毫歐 @ 17A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs374nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C34A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 10300pF @ 25V
功率 - 最大780W
安裝類型底座安裝

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