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APTM120DA56T1G

廠家:
  Microsemi Corporation
封裝:
 SP1
數量:
 1323  
說明:
 MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
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APTM120DA56T1G PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C672 毫歐 @ 14A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs300nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C18A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 7736pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類型底座安裝

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