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APTM120H57FT3G

廠家:
  Microsemi Corporation
封裝:
 SP3
數量:
 1395  
說明:
 MOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP3
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APTM120H57FT3G PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型4 N 通道(半橋)
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C684 毫歐 @ 8.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs187nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C17A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 5155pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類型底座安裝

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