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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 58A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)5V @ 20mA
閘電荷(Qg) @ Vgs1100nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C116A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 28900pF @ 25V
功率 - 最大3290W
安裝類型底座安裝
以上是APTM120U10DAG的詳細(xì)信息,包括APTM120U10DAG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!