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APTGT30SK170D1G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 D1
數量：
 8658  
說明：
 IGBT 1700V 45A 210W D1
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中文參數如下：
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）1700V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.4V @ 15V, 30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）45A
功率 - 最大210W
輸入類型標準型
安裝類型底座安裝

以上是APTGT30SK170D1G的詳細信息，包括APTGT30SK170D1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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