色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > APTGT35DA120D1G

APTGT35DA120D1G

廠(chǎng)家：: Microsemi Corporation
封裝：: D1
數(shù)量：: 8703
說(shuō)明：: IGBT 1200V 55A 205W D1

一、本商品被瀏覽0次.

APTGT35DA120D1G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）2.1V @ 15V, 35A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）55A
功率 - 最大205W
輸入類(lèi)型標(biāo)準(zhǔn)型
安裝類(lèi)型底座安裝

以上是APTGT35DA120D1G的詳細(xì)信息，包括APTGT35DA120D1G廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

FS150R12KT4B9BOSA1

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1

FS150R12PT4BOSA1

FP75R12KT3BOSA1

IFF300B12ME4PB11BPSA1

FP75R12KT4B15BOSA1

FS75R12KT3GBOSA1