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APTGT35H120T1G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP1
數量：: 8712
說明：: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

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APTGT35H120T1G PDF參數資料

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中文參數如下：
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.1V @ 15V, 35A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）55A
電流 - 集電極截止（最大）250µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)2.5nF @ 25V
功率 - 最大208W
輸入標準型
配置全橋反相器
NTC 熱敏電阻是
安裝類型底座安裝

以上是APTGT35H120T1G的詳細信息，包括APTGT35H120T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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