| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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NE552R479A-T1-A | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band Med Power | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，頻率：2.45 GHz，增益：11 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：0.4 S，閘/源擊... | ||||||
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NE52418-A | CEL | SOT-343 | 射頻GaAs晶體管 NPN L-S Lo Noise Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類(lèi)型：HBT，頻率：2 GHz，增益：16 dB，噪聲系數(shù)：1 dB，漏源電壓 VDS：5 V，... | ||||||
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NE52418-T1-A | CEL | SOT-343 | 射頻GaAs晶體管 L to S Band LW Noise AMP NPN GaAs HBT | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類(lèi)型：HBT，頻率：2 GHz，增益：16 dB，噪聲系數(shù)：1 dB，漏源電壓 VDS：5 V，... | ||||||
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NE450184C-T1-A | CEL | S0-1 | 射頻GaAs晶體管 Ult LW Noise HJ FET 1.0dB NF | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類(lèi)型：HEMT，頻率：24 GHz，增益：10 dB，噪聲系數(shù)：1 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大... | ||||||
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NE4503S01-A | CEL | 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET | |||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，包裝形式：Bulk，... | ||||||
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NE4503S01-T1-A | CEL | 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET | |||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，包裝形式：Tape，... | ||||||
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NE6500379A | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：MESFET，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊... | ||||||
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NE6500379A-EVPW26 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE6500379A 2.6G | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：MESFET，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊穿電壓：- 7 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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NE6500379A-T1 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：MESFET，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊... | ||||||
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NE6500496 | CEL | Outline96 | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：MESFET，頻率：2.3 GHz，增益：11.5 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值... | ||||||
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NE650103M | NEC/CEL | 3M | 射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：MESFET，頻率：2.3 GHz，增益：11 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊穿電壓：- 18 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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NE650103M-A | CEL | 3M | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET | ||
| 參數(shù)：CEL|托盤(pán)|-|停產(chǎn)|MOSFET|-|2.3GHz|11dB|10 V|5A|-|1.5 A|40dBm|15 V|-|SOT-445 變式|3M... | ||||||
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NE6501077 | CEL | Outline77 | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：MESFET，頻率：2.3 GHz，增益：10.5 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值... | ||||||
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NE6510179A | NEC/CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓：- 4 V，漏極連續(xù)電流：2... | ||||||
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NE6510179A-A | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|10dB|3.5 V|2.8A|-|200 mA|32.5dBm|8 V|-|4-SMD，扁平... | ||||||
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NE6510179A-EVPW19 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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NE6510179A-EVPW24 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.4 GHz | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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NE6510179A-EVPW26 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 2.6 GHz | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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NE6510179A-EVPW35 | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 3.5 GHz | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類(lèi)型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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NE6510179A-T1-A | CEL | 79A | 射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|1.9GHz|10dB|3.5 V|2.8A|-|200 mA|32.5dBm|8 V|-|4-SM... | ||||||
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