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NE650103M

廠家：
  NEC/CEL
封裝：
 3M
數量：
 5049  
說明：
 射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A
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NE650103M PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：10
P1dB：40 dBm
封裝形式：3M
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：33 W
最大工作溫度：+ 175 C
漏極連續電流：7 A
閘/源擊穿電壓：- 18 V
漏源電壓 VDS：15 V
增益：11 dB
頻率：2.3 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：否
制造商：NEC

以上是NE650103M的詳細信息，包括NE650103M廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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