點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

封裝形式：Outline18
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：150 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：40 mA
閘/源擊穿電壓：3 V
漏源電壓 VDS：5 V
噪聲系數：1 dB
增益：16 dB
頻率：2 GHz
技術類型：HBT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE52418-A的詳細信息，包括NE52418-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產品：

RN2961(TE85L,F)

RN2503(TE85L,F)

RN4608(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

RN2964(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F)

RN1608(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

RN1609(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)