| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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HGT1S7N60A4S9A | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1S7N60B3DS9A | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | IGBT 晶體管 14A 600V UFS N-Ch | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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HGT1S7N60C3D | Fairchild Semiconductor | TO-220AB-3 | IGBT 晶體管 Optocoupler Phototransistor | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1S7N60C3DS | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶體管 7A 600V TF=275NS | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT1S7N60C3DS9A | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGT4E20N60A4DS | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 TO-268 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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HGTD1N120BNS9A | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | 209 | IGBT 晶體管 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series | |
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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HGTD3N60A4S | Fairchild Semiconductor | TO-252-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGTD3N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | IGBT 晶體管 6a 600V N-Ch IGBT UFS Series | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGTD7N60A4S | Fairchild Semiconductor | TO-252-3 | IGBT 晶體管 TO-252 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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HGTD7N60C3S9A | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | 2,173 | IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series | |
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGTG10N120BND | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 35A 1200V N-Ch | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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HGTG10N120BND_Q | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 35A 1200V N-Ch | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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HGTG11N120CN | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 43A 1200V N-Ch | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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HGTG11N120CND | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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HGTG12N60A4 | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGTG12N60A4D | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGTG12N60B3 | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 12A 600V UFS N-Ch | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGTG12N60C3D | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 24a 600V IGBT UFS N-Channel | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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HGTG18N120BN | Fairchild Semiconductor | TO-247-3 | IGBT 晶體管 54A 1200V N-Ch | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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