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HGTG10N120BND_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-247-3
數量：: 2781
說明：: IGBT 晶體管 35A 1200V N-Ch

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HGTG10N120BND_Q PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：35 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：298 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 250 nA
在25 C的連續集電極電流：35 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.45 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：否
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGTG10N120BND_Q的詳細信息，包括HGTG10N120BND_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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