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HGTD3N60A4S

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3
數量：: 2826
說明：: IGBT 晶體管

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HGTD3N60A4S PDF參數資料

中文參數如下：

安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：17 A
封裝形式：TO-252-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：70 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 250 nA
在25 C的連續集電極電流：17 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGTD3N60A4S的詳細信息，包括HGTD3N60A4S廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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