Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPB120N06S4-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲... | ||||||
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IPB120N06S4-H1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：1000，零件號(hào)別名：IPB120N06S4H1ATMA1 I... | ||||||
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IPB120P04P4-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -120A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：- 120 A... | ||||||
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IPB120P04P4L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -120A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：- 120 A... | ||||||
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IPB123N10N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
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IPB12CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB12CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 67A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB136N08N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB13N03LB G | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB144N12N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1082 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：56 A... | ||||||
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IPB147N03L G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 25V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB14N03LAG | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 25 V 30 A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S203 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB160N04S2-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 40V 160A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S2L03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB160N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 40V 160A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S3H2 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB160N04S3-H2 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 40V 160 A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB160N04S4-H1 | Infineon Technologies | TO-263-7 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：160 A，電阻汲... | ||||||
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IPB16CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 53A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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