| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
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GT50J301(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶體管 600V/150A DIS+FRD |
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| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：+/-... |
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GT50J325(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
73 |
IGBT 晶體管 600V/50A DIS+FRD |
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| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：+/-... |
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GT5G131(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 130A |
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| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：3000，... |
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GT60M303(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶體管 900V/60A DIS+FRD Trench |
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| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：900 V，柵極/發射極最大電壓：+/-... |
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GT60M323(Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 900V, 60A |
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| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：100，... |
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GT60N321(Q) |
Toshiba |
TO-3P（LH） |
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IGBT 晶體管 IGBT 1000V 60A |
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| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1000 V，柵極/發射極最大電壓：+/... |
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GT60N322(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
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IGBT 晶體管 IGBT 1000V 57A |
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| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1000 V，柵極/發射極最大電壓：25... |
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GT8G131(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A |
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| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：3000，... |
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GT8G132(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A |
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| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：3000，... |
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GT8G133(TE12L,Q) |
Toshiba |
8-TSSOP |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A |
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| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：3000，... |
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GT8G134(TE12L,Q) |
Toshiba |
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IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A |
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| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：3000，... |
