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GT50J301(Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3P
數量:
 1998  
說明:
 IGBT 晶體管 600V/150A DIS+FRD
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GT50J301(Q)-TO-3P圖片

GT50J301(Q) PDF參數資料

中文參數如下:

工廠包裝數量:100
安裝風格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續電流 Ic:50 A
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3P
最大工作溫度:+ 150 C
柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:Toshiba

以上是GT50J301(Q)的詳細信息,包括GT50J301(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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