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GT50JR21(STA1,E,S)

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-3P（N）
數(shù)量：: 891
說明：: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

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GT50JR21(STA1,E,S) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
測試條件：-
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：-
柵極電荷：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：230 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：100 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：50 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT50JR21(STA1,E,S)的詳細(xì)信息，包括GT50JR21(STA1,E,S)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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