點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
工廠包裝數量：100
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：60 A
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P
最大工作溫度：+ 150 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 25 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1000 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Toshiba
以上是GT60N321(Q)的詳細信息，包括GT60N321(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
