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ZXM66P03N8TC

廠家：
  Diodes Inc. / Zetex
封裝：
 SO-8
數量：
 6777  
說明：
 MOSFET 30V P Chnl HDMOS
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ZXM66P03N8TC-SO-8圖片

ZXM66P03N8TC PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：94.6 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：16.3 ns
功率耗散：1.56 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：16.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.035 Ohms
漏極連續電流：- 7.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXM66P03N8TC的詳細信息，包括ZXM66P03N8TC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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