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ZXMC10A816N8TC

廠家:
  Diodes Inc. / Zetex
封裝:
 8-SO
數量:
 1179  
說明:
 MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
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ZXMC10A816N8TC-8-SO圖片

ZXMC10A816N8TC PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:12.1 ns, 20 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:2.1 ns, 5.2 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:5 ns, 12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.23 Ohms at 10 V, 0.235 Ohms at - 10 V
漏極連續電流:2.1 A, - 2.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是ZXMC10A816N8TC的詳細信息,包括ZXMC10A816N8TC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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