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US6M11TR

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 TUMT6
數量:
 23766  
說明:
 MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
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US6M11TR-TUMT6圖片

US6M11TR PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:N 和 P 溝道
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 1.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V, 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:1.5A, 1.3A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:1.8nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :110pF @ 10V
功率 - 最大:700mW
安裝類型:表面貼裝

以上是US6M11TR的詳細信息,包括US6M11TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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