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US6M1TR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TUMT6
數量：: 2313
說明：: MOSFET N+P 30 20V 1A

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US6M1TR PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：13 nS, 25 nS
工廠包裝數量：3000
上升時間：6 nS, 8 nS
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.4 nC, 2.1 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1 S, 0.7 S
下降時間：8 nS, 10 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TUMT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：170 mOhms at 10 V, 280 mOhms at - 4.5 V
漏極連續電流：+/- 1.4 A, +/- 1 A
閘/源擊穿電壓：+ 20 V, - 12 V
汲極/源極擊穿電壓：+ 30 V, - 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是US6M1TR的詳細信息，包括US6M1TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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