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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:15 ns
上升時間:55 ns
功率耗散:45 W
柵極電荷 Qg:25 nC
下降時間:100 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220 SIS
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.75 Ohms
漏極連續電流:10 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK10A60D(STA4,Q,M)的詳細信息,包括TK10A60D(STA4,Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!