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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：87W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2040 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：33 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 300μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：10.7 毫歐 @ 21A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：42A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
以上是TK110E10PL,S1X的詳細信息，包括TK110E10PL,S1X廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
