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SUP33N20-60P-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 1656
說明：: MOSFET 200V 33A 156W

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SUP33N20-60P-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時間：170 ns
功率耗散：3.12 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：9 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.06 Ohms
漏極連續(xù)電流：33 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP33N20-60P-E3的詳細信息，包括SUP33N20-60P-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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