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SUP40N10-30-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 3564
說明：: MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB

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SUP40N10-30-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：38.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：60nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：2400pF @ 25V
功率 - 最大：3.1W
安裝類型：通孔

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