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STB80N20M5

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 6705
說明：: MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

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STB80N20M5-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB80N20M5 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：131 ns
上升時間：31 ns
功率耗散：190 W
柵極電荷 Qg：104 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1.6 V
下降時間：176 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.023 Ohms
漏極連續電流：61 A
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB80N20M5的詳細信息，包括STB80N20M5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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