色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > STB80NE06-10

STB80NE06-10

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數量：: 6426
說明：: MOSFET RO 511-STB80NF06

一、本商品被瀏覽0次.

STB80NE06-10 PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：50
上升時間：150 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：38 S
下降時間：75 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8.5 m Ohms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STB80NE06-10的詳細信息，包括STB80NE06-10廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：