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SSI1N60BTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 I2PAK
數(shù)量:
 7635  
說明:
 MOSFET 600V Single
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SSI1N60BTU-I2PAK圖片

SSI1N60BTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時(shí)間:45 ns
功率耗散:3.13 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:35 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:I2PAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):12 Ohms
漏極連續(xù)電流:1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SSI1N60BTU的詳細(xì)信息,包括SSI1N60BTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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