中文參數如下：
典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：45 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：35 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：12 Ohms
漏極連續電流：1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是SSI1N60BTU的詳細信息，包括SSI1N60BTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
